RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
38
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
4.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
38
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
4.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1672
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link