RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
41
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
41
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2458
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Transcend Information TS256MLK64V3N 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link