RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
47
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
47
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2201
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link