RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3025
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Corsair CMT64GX5M2B5200C40 32GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link