RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
36
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
36
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1878
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link