RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
12.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2653
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link