RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
9.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2250
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link