RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2102
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link