RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
34
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
8.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
8.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2079
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 99U5316-024.A00LF 1GB
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Lenovo 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link