RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
31
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
5.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
5.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1874
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link