RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
84
Wokół strony 71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
84
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1614
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link