RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
31
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2990
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link