RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
76
Wokół strony 68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
6.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
76
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1453
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Kingston 99U5428-049.A00LF 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link