RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3198
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link