RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3198
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link