RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2147
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link