RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
37
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
37
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2438
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link