RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3008
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link