RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston XN205T-MIE2 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3698
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XN205T-MIE2 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link