RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston XN205T-MIE2 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3698
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link