RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2962
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston FQ453-80003 1GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link