RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3286
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS32G52D5 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link