RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
35
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
35
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3489
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link