RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
39
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
39
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
11.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1881
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link