RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2585
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link