RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
38
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
38
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
8.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2206
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link