RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
39
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
8.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
39
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
8.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2083
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link