RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
38
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
8.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
38
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
8.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1999
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Kingston 9905428-129.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link