RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
35
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
35
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2713
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link