RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2191
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Samsung M471B5273DH0-YH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link