RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
46
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
46
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2632
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link