RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2549
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link