RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
12.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2130
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link