RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2354
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link