RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3287
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link