RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
19200
Wokół strony 1.22 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
23400
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3368
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
AMD R744G2133U1S 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link