RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3806
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link