RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
24
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2825
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M393B1G70QH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link