RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3430
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Jinyu 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Mushkin 991586 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link