RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3870
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Jinyu 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link