RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2439
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link