RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
35
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
35
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3049
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link