RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2680
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link