RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2655
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link