RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
37
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
37
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3419
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link