RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
77
Wokół strony 69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
77
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1549
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link