RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
49
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
49
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2427
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link