RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
49
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
49
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2413
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link