RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
51
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
51
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
10.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2359
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link