RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2322
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link