RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
52
Wokół strony 54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
52
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
10.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2176
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link