RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
63
Wokół strony 62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
63
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2162
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link